机译:基于MOCVD的基于Si(111)衬底的AlGaN / GaN HEMT的生长和制备
机译:使用超薄AlN / GaN超晶格中间层通过MOCVD在4英寸Si(110)衬底上生长的高质量GaN膜和AlGaN / GaN HEMT
机译:在Si(111)衬底上制造AlGaN / GaN HEMT的新方法
机译:MOCVD使用双Aln中间层的图案Si(111)衬底上的AlGaN / GaN Hemts的生长特性
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:具有超高室温2DEG迁移率的alGaN / GaN-on-si HEmT结构的晶圆级mOCVD生长