首页> 外文OA文献 >Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology
【2h】

Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology

机译:使用Sol-Gel晶圆键合技术的波长可调硅基InGaAs谐振腔增强光电探测器

摘要

National Basic Research Program of China [2006CB302802]; National Natural Science Foundation [60676005, 60906035]; Chinese Academy of Sciences [ISCAS2009T01]
机译:中国国家基础研究计划[2006CB302802];国家自然科学基金[60676005,60906035];中国科学院[ISCAS2009T01]

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号