首页> 外文OA文献 >Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology

【2h】

Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology

机译：使用Sol-Gel晶圆键合技术的波长可调硅基InGaAs谐振腔增强光电探测器

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

National Basic Research Program of China [2006CB302802]; National Natural Science Foundation [60676005, 60906035]; Chinese Academy of Sciences [ISCAS2009T01]

机译：中国国家基础研究计划[2006CB302802]；国家自然科学基金[60676005，60906035];中国科学院[ISCAS2009T01]

著录项

作者
Zhang LZ; Cao Q; Zuo YH; Xue CL; Cheng BW; Wang QM;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2011
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology [J] . Lingzi Zhang, Quan Cao, Yuhua Zuo, Photonics Technology Letters, IEEE . 2011,第13期

机译：使用Sol-Gel晶圆键合技术的波长可调硅基InGaAs谐振腔增强光电探测器
2. Demonstration of low-cost Si-based tunable long-wavelength resonant-cavity-enhanced photodetectors [J] . R. W. Mao, Y. H. Zuo, C. B. Li, Applied Physics Letters . 2005,第3期

机译：演示低成本的基于Si的可调谐长波长谐振腔增强光电探测器
3. Modeling and Simulation of a Resonant-Cavity-Enhanced InGaAs/GaAs Quantum Dot Photodetector [J] . Wang W. W., Guo F. M., Li Y. Q. Advances in condensed matter physics . 2015,第Pta1期

机译：谐振腔增强型InGaAs / GaAs量子点光电探测器的建模与仿真
4. High performance of silicon-based resonant-cavity-enhanced (RCE) photodetectors using sol-gel bonding [C] . 7th IEEE International Conference on Group IV Photonics . 2010

机译：使用溶胶-凝胶键合的高性能基于硅的共振腔增强（RCE）光电探测器
5. Resonant cavity enhanced (RCE) techniques for increasing the efficiency of quantum well photodetectors. [D] . Kim, Jang Pyo. 2006

机译：共振腔增强（RCE）技术可提高量子阱光电探测器的效率。
6. All-Si Photodetectors with a Resonant Cavity for Near-Infrared Polarimetric Detection [O] . Bo Feng, Jingyuan Zhu, Chen Xu, 2019

机译：具有谐振腔的全硅光电探测器用于近红外偏振检测
7. Fabrication of silicon-on-reflector for Si-based resonant-cavity-enhanced photodetectors [O] . Li C, Yang QQ, Ou HY, 2000

机译：用于硅基谐振腔增强光电探测器的反射硅的制作

Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅