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FGMOS Based Voltage-Controlled Grounded Resistor

机译:基于FGMOS的压控接地电阻

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摘要

This paper proposes a new floating gate MOSFET (FGMOS) based voltage-controlled grounded resistor. In the proposed circuit FGMOS operating in the ohmic region is linearized by another conventional MOSFET operating in the saturation region. The major advantages of FGMOS based voltage-controlled grounded resistor (FGVCGR) are simplicity, low total harmonic distortion (THD), and low power consumption. A simple application of this FGVCGR as a tunable high-pass filter is also suggested. The proposed circuits operate at the supply voltages of +/-0.75 V. The circuits are designed and simulated using SPICE in 0.25-µm CMOS technology. The simulation results of FGVCGR demonstrate a THD of 0.28% for the input signal 0.32 Vpp at 45 kHz, and a maximum power consumption of 254 µW.
机译:本文提出了一种新的基于浮栅MOSFET(FGMOS)的压控接地电阻器。在提出的电路中,工作在欧姆区域的FGMOS通过工作在饱和区域的另一种常规MOSFET线性化。基于FGMOS的压控接地电阻(FGVCGR)的主要优点是简单,低总谐波失真(THD)和低功耗。还建议将此FGVCGR用作可调高通滤波器的简单应用。所建议的电路在+/- 0.75 V的电源电压下工作。这些电路是使用0.25 µm CMOS技术的SPICE设计和仿真的。 FGVCGR的仿真结果表明,输入信号0.32 Vpp在45 kHz时的THD为0.28%,最大功耗为254 µW。

著录项

  • 作者

    Pandey R.; Gupta M.;

  • 作者单位
  • 年度 2010
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 en
  • 中图分类

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