首页> 外文OA文献 >Semiconductors structures , charge collection method
【2h】

Semiconductors structures , charge collection method

机译:半导体结构,电荷收集方法

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Práce pojednává o studiu struktur polovodivého křemíku. Popisuje vlastnosti tohoto prvku a vytvoření polovodiče typu P a N, dále se zabývá typy poruch krystalické mřížky. Zabývá se popisem metod sledování poruch v polovodiči, stanovení vlastností polovodičů tj. metodou EBIC, EBIV a CC, které jsou využívány k analýze polovodičových součástek a materiálů. Zjišťování vlastností křemíkových součástek probíhá pomoci generace nosičů náboje ve vzorku, vloženého do komory rastrovacího elektronového mikroskopu dopadajícími vyskoenergiovými elektrony a následným sběrem naindukovaného náboje na PN přechodu. Pomocí dat získaných metodou EBIC a CC byly vyhodnoceny difúzní délka a doba života elektronů.
机译:这项工作涉及半导体硅结构的研究。它描述了这种元素的特性以及P和N型半导体的设计,还涉及了晶格缺陷的类型。它介绍了半导体故障监视方法的描述,半导体特性的确定,即EBIC,EBIV和CC方法,这些方法用于分析半导体组件和材料。硅组分的特性是通过入射高能电子并随后在PN结处收集感应电荷的方式,通过在插入扫描电子显微镜腔室的样品中产生电荷载流子来确定的。使用EBIC和CC数据评估扩散长度和电子寿命。

著录项

  • 作者

    Golda Martin;

  • 作者单位
  • 年度 2014
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"cs","name":"Czech","id":5}
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号