首页> 外文OA文献 >Low-noise S-band amplifier
【2h】

Low-noise S-band amplifier

机译:低噪声S波段放大器

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Tato práce zabývá se návrhem, simulací a realizaci přední části přjímajícího systému pro satelitní komunikaci. První část projektu je návrh LNA s vysokým přidruženým ziskem. Základním bodem návrhu je výběr aktivního zařízení. V současnosti jsou dostupné nízkošumové tranzistory založené na GaAs s vysokou pohyblivostí elektronů. Dvojstupňový nízkošumový zesilovač byl navržen s tranzistorem Agilent ATF-55143. Je to P-HEMT, který pracuje v obohaceném modu. Tento tranzistor nevyžaduje záporné přepětí a má extrémně dobré šumové číslo. Návrh obsahuje mezi stupni interdigitalní laděnou pásmovou propust. V druhé části projektu jsou jiné možnosti realizace obvodu. Jsou zde navrženy dva zesilovače s parelelním coupled line filtrem. První je navržen na substrátu Duroid 5880 s relativní permitivitou 2,2 a tg d = 0,009. Pro realizaci byl použit materiál FR-4 (r = 4.34) s tloušťkou 0.06”.
机译:这项工作涉及卫星通信接收系统前端的设计,仿真和实现。该项目的第一部分是设计具有较高相关利润的LNA。设计的基本要点是有源器件的选择。目前,具有高电子迁移率的基于GaAs的低噪声晶体管是可用的。两级低噪声放大器是使用Agilent ATF-55143晶体管设计的。它是在丰富模式下工作的P-HEMT。该晶体管不需要负的过压,并且具有非常好的噪声系数。该设计包括级间的叉指调谐带通。在项目的第二部分中,还有电路实现的其他可能性。这里设计了两个带有并联耦合线滤波器的放大器。第一种设计在Duroid 5880基板上,相对介电常数为2.2,tg d = 0.009。 FR-4材料(r = 4.34)的厚度为0.06英寸。

著录项

  • 作者

    Potěšil Dušan;

  • 作者单位
  • 年度 2008
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"cs","name":"Czech","id":5}
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号