Elimination of defects in Si substrates by Rapid Thermal Process application

摘要

Nízká cena, rychlé dosažení vysokých teplot IR ohřevem, rychlé chlazení a vysoká efektivita, to jsou vlastnosti RTP (rychlé tepelné procesy). RTP se využívá pro žíhání, difúzi, kontaktování, oxidaci a další. Rychlá změna teploty a IR ohřev může být následován pozitivními efekty v křemíkových substrátech. Tato práce je zaměřena na žíhání pomocí RTP. Byl použit p-typový monokrystalický CZ křemík s rozdílnou objemovou dobou života minoritních nosičů. Doba života minoritních nosičů byla měřena MW-PCD (mikrovlnná fotovodivá detekce) před a po procesu ohřevu.