Measurement of local characteristics of passive electrical devices

摘要

Bakalářská práce je zaměřena na nově koncipované lokální měření charakteristik elektrických, případně optoelektrických součástek. S tím, jak se dle Moorova zákona zmenšují rozměry aktivních součástek na čipech, existují i snahy o odpovídající zmenšování pasivních elektrických součástek, při současném zvyšování, nebo alespoň zachování jejich parametrů. Ukazuje se, že problémy zmenšování jsou spojeny s existencí fyzikálních mezí použitých materiálů a konec konců i s nemožností měření lokálních vlastností součástek pomocí klasických elektrických měřicích metod. Právě v oblasti fyzikálních mezí začínají být vážným problémem defekty v materiálech, které při malých rozměrech součástek mohou značně ovlivnit účinnost, výkon, životnost a spolehlivost zařízení. Měření provedená na pasivních i aktivních součástkách vykazují vyšší rozlišovací schopnost defektů na povrchu vybraných součástek než umožňují stávající metody. 1) Z výsledků měření na kondenzátorech vyplývá, že existuje několik možných příčin, proč u nich dochází k průrazům, např. mechanické defekty, nebo přítomnost nečistoty či krystaly oxidu v dielektriku. 2) Měření provedená na fotodiodě umožnila zviditelnit proud minoritních nosičů a zobrazit jejich dobu života. Navíc se ukazuje, že doba života minoritních nosičů pochází hlavně z objemová rekombinace.