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【2h】

Young's modulus, Poisson's ratio, and residual stress and strain in (111)-oriented scandium nitride thin films on silicon

机译：硅上（111）取向氮化scan薄膜的杨氏模量，泊松比以及残余应力和应变

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作者
Moram Michelle Anna; Barber Zoe Helen; Humphreys Colin John; Joyce TB; Chalker PR;
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作者单位

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年度 2006
总页数
原文格式 PDF
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1. Young's modulus, Poisson's ratio, and residual stress and strain in (111)-oriented scandium nitride thin films on silicon [J] . M. A. Moram, Z. H. Barber, C. J. Humphreys, Journal of Applied Physics . 2006,第2期

机译：硅上（111）取向氮化scan薄膜的杨氏模量，泊松比以及残余应力和应变
2. Examination of Bulge Test for Determining Residual Stress, Young's Modulus, and Poisson's Ratio of 3C-SiC Thin Films [J] . Jay S. Mitchell, Christian A. Zorman, Thomas Kicher, Journal of aerospace engineering . 2003,第2期

机译：确定3C-SiC薄膜的残余应力，杨氏模量和泊松比的凸起测试
3. Thickness dependence of Young's modulus and residual stress of sputtered aluminum nitride thin films [J] . M. Schneider, A. Bittner, U. Schmid Applied Physics Letters . 2014,第20期

机译：溅射氮化铝薄膜的杨氏模量与残余应力的厚度依赖性
4. Simultaneously determining Young's modulus, coefficient of thermal expansion, Poisson ratio and thickness of thin films on silicon wafer [C] . Wu, E., Yang, . 2004

机译：同时确定杨氏模量，热膨胀系数，泊松比和硅晶片上的薄膜厚度
5. Growth of gallium nitride and aluminum gallium nitride thin films using conventional and pendeo-expitaxial growth processes on hydrogen(6)-silicon carbide(0001) and silicon(111) substrates. [D] . Gehrke, Thomas. 2000

机译：使用常规和五极外延生长工艺在氢（6）-碳化硅（0001）和硅（111）衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
6. Enhanced Electroluminescence from Silicon Quantum Dots Embedded in Silicon Nitride Thin Films Coupled with Gold Nanoparticles in Light Emitting Devices [O] . Ana Luz Muñoz-Rosas, Arturo Rodríguez-Gómez, Juan Carlos Alonso-Huitrón 2018

机译：嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
7. Young’s modulus, Poisson’s ratio, and residual stress and strain in (111)-oriented scandium nitride thin films on silicon [O] . M. A. Moram, Z. H. Barber, C. J. Humphreys, 2006

机译：硅上（111）取向氮化scan薄膜的杨氏模量，泊松比以及残余应力和应变

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