机译:具有几何陷阱的超快横向600 V硅SOI PiN二极管,可防止波形振荡
机译:具有双深氧化物沟槽的500 V SOI横向pin二极管,可实现快速反向恢复并抑制振荡
机译:一种新颖的实验技术:组合栅二极管法提取SOI NMOSFET中界面陷阱的横向分布
机译:优于SiC-SBD的超快速横向600 V硅PiN二极管
机译:在区域熔化的重结晶绝缘体上硅结构中制造的侧向取向Pin二极管的特性,该结构包含完整的粘弹性应力释放层。
机译:极紫外瞬态吸收光谱法探测硅锗合金中超快的载热和俘获
机译:具有几何陷阱的超快横向600 V硅SOI PiN二极管,可防止波形振荡