机译:材料溶胀对单晶金刚石车削表面粗糙度的影响
机译:脆性单晶金刚石车削中表面粗糙度的各向异性
机译:人工合成的单晶金刚石芯片的低能离子束平滑,初始表面粗糙度为0.08-0.4 nm rms
机译:KDP晶体单点钻石表面粗糙度与切削力的预测
机译:快速重离子束探测器的单晶金刚石研究及改进金刚石材料的金刚石生长研究
机译:纳米晶金刚石在单晶金刚石上的快速生长用于极端条件下的材料研究
机译:材料溶胀对单晶金刚石车削表面粗糙度的影响
机译:金刚石车削和表面清洁工艺对KDp晶面退化的影响。