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【2h】

Epitaxial lift-off of II-VI semiconductors from III-V substrates using a MgS release layer

机译：使用MgS释放层从III-V衬底上外延剥离II-VI半导体

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作者
Rajan Akhil; Davidson Ian A; Moug Richard T; Prior Kevin Alan;
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年度 2013
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原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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