机译:InAs量子点可饱和吸收体中1.3μm处的超快电吸收动力学
机译:InAs量子点可饱和吸收体中1.3μm处电吸收动力学的温度依赖性及其对锁模量子点激光器的影响
机译:InAs / GaAs量子点可饱和吸收体,用于二极管泵浦的无源Q开关掺Nd 1.3μm激光器
机译:电吸收动力学的温度依赖性在inas量子点饱和吸收器中为1.3μm
机译:1.3毫米InAs量子点激光器的表征和建模。
机译:退火对1.3μmInAs-InGaAs-GaAs量子点电吸收调制器性能的影响
机译:1.3μmInAs / GaAs量子点光放大器中的超快增益动力学:p掺杂的影响
机译:横向耦合Inas量子点分布反馈激光器,为1.3微米