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【2h】

Analytical delay model for Gallium Arsenide digital circuits

机译:砷化镓数字电路的分析延迟模型

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摘要

We present in this paper an analytical method for the evaluation of the performances of the BFL (Buffered FET Logic configuration) GaAs structures. Based on a representation of the average imbalance current, it allows direct evaluation of delays, with clear indication of technological, structural and environmental parameters, allowing the definition of sizing and optimization criteria. This method is validated through SPICE simulations on different configurations.
机译:我们在本文中介绍了一种用于评估BFL(缓冲FET逻辑配置)GaAs结构性能的分析方法。基于平均不平衡电流的表示,它可以直接评估延迟,并清楚指示技术,结构和环境参数,从而定义尺寸和优化标准。通过在不同配置上的SPICE仿真验证了此方法。

著录项

  • 作者

    Ousset M.; Auvergne D.;

  • 作者单位
  • 年度 1994
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 it
  • 中图分类

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