机译:GaAs衬底上变质InP / In {sub} 0.53Ga {sub} 0.47As / InP DHBT的微波噪声性能
机译:采用高击穿电压InP / InGaAs DHBT技术的5.8 dBm P dB sub>高增益W波段低噪声放大器
机译:通过微波光电导衰减(mu-PCD)载流子寿命测量,InP / InGaAs / InP中InGaAs的均匀性
机译:用聚酰亚胺叠加的INP / INGAAS DHBT微波噪声瞬态测量和仿真
机译:超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:聚酰亚胺钝化法对InP / InGaAs DHBT微波噪声瞬态的测量和仿真
机译:用于20 GHz应用的Inp和InGaas亚微米栅极微波功率晶体管