首页> 外文OA文献 >Feedback Amplifier based on an Embedded HEMT in Thin-film Multilayer MCM-D Technology
【2h】

Feedback Amplifier based on an Embedded HEMT in Thin-film Multilayer MCM-D Technology

机译:薄膜多层MCM-D技术中基于嵌入式HEMT的反馈放大器

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

In this paper a feedback amplifier circuit integrated in MCM-D (MultiChip Module with Deposited thin films) on glass technology is presented. The active device of the amplifier is a thin-film Ge (germanium) -based HEMT. The HEMT is embedded in the bottom dielectric layer of the MCM-D. The combination of passive MCM-D technology and HEMTs on Ge allows for efficient semi-monolithic integration of active devices and realization of MCMs with embedded passive and active components for amplifier circuits.
机译:本文提出了一种在玻璃技术上集成在MCM-D(带有沉积薄膜的多芯片模块)中的反馈放大器电路。放大器的有源器件是基于薄膜Ge(锗)的HEMT。 HEMT嵌入在MCM-D的底部介电层中。无源MCM-D技术和Ge上的HEMT的结合可实现有源器件的高效半单片集成,并实现带有用于放大器电路的嵌入式无源和有源组件的MCM。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号