机译:用于功率调节应用的氮化镓HEMT共源共栅开关的性能表征
机译:蓝宝石衬底上氮化镓HEMT器件的高功率和线性性能
机译:优化高性能氮化铟镓/氮化镓基薄膜垂直发光二极管的n型触点设计和芯片尺寸
机译:用于无线基础设施应用的硅HEMT的氮化镓,热设计和性能
机译:氮化铝镓/氮化镓HEMT与CMOS在硅(111)衬底上的整体集成的热分析。
机译:通过氮化硅衬底上电化学沉积的氧化镓的氮化合成氮化镓纳米结构
机译:氮化镓在用于无线基础设施应用,散热设计和性能的硅HEMT上
机译:微波集成电路放大器设计提交给Qorvo用于制造0.09微米高电子迁移率晶体管(HEmT),使用碳化硅(siC)上的2密耳氮化镓(GaN)。