SiGe:C HBT technology for advanced BiCMOSudprocesses.

机译：SiGe：用于高级BiCMOS的C LGBT技术流程。

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In this paper we discuss the present status ofudSiGe:C heterojunction bipolar transistors (HBTs), together withudsome Figures-of-Merit (FOMs) and their relation to technology.udWe also discuss new innovative solutions to the relatively lowudbreakdown voltage and high-frequency substrate losses of Siudtechnologies, when compared to III-V based technologies.

机译：本文将讨论 udSiGe：C异质结双极晶体管（HBT）的现状，以及 udsome-品质因数（FOM）及其与技术的关系。 ud我们还将讨论相对较低与基于III-V的技术相比，Si udnologies的击穿电压和高频基板损耗。

著录项

作者
Magnee P. H. C.; Hurkx G. A. M.; Agarwal P.; van Noort W. D.; Donkers J. J. T. M.; Melai J.; Aksen E.; Vanhoucke T.; Vijayaraghavan M. N.;
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作者单位

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年度 2004
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