机译:高漏极偏置可靠性测试下GaN HEMT器件的物理性能下降
机译:用于高阈值电压的基于GaN的HEMT功率器件的组合的部分凹陷和多层氟化介电层栅极结构的形成
机译:原位钝化与GaN缓冲优化相结合,可在Si(111)上的Si_3N_4 / AlGaN / GaN HEMT器件中实现极低的电流分散和极低的栅极泄漏
机译:GaN HEMT器件的应力可靠性研究
机译:高功率电子设备的建模与鉴定:闪光沸腾和GAN HEMT可靠性造型激光二极管的系统分析
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:HEMT设备和组合式振荡器-放大器的可靠性之间的相关性
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。