机译:基于高性能50 nm变形HEMT技术的220 GHz低噪声放大器MMIC和模块
机译:低功耗W波段CPWG InAs / AlSb HEMT低噪声放大器
机译:高产量W波段单片HEMT低噪声放大器和图像抑制下变频器芯片
机译:使用70 nm变质HEMT技术的辐射计应用中的低噪声W波段放大器
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:用于超低功耗低噪声应用的100MTnm AlSb / InAs HEMT
机译:使用70 nm变质HEMT技术的辐射计应用中的低噪声W波段放大器 ud
机译:可制造的三叠层alsb / Inas HEmT低噪声放大器,采用晶圆级封装技术,适用于轻量级和超低功耗应用