机译:横向器件缩放和气隙深沟槽隔离对200 GHz SiGe:C HBT可靠性性能的影响
机译:评估具有横向渐变基底的SOI上横向SiGe HBT的THz性能
机译:标度和发射极布局对太赫兹SiGe:C HBT的热行为的影响
机译:垂直传输器件的亚微米横向缩放比例转移衬底双极晶体管和肖特基-Collecto隧道二极管
机译:超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
机译:用于研究亚微米级细菌的微流控装置的电子束制造
机译:HBT和其他垂直传输设备的亚微米横向缩放:朝太赫兹带宽