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A 10 Gb/s CMU in SiGe BiCMOS commercial technology with multistandard capability

机译:采用SiGe BiCMOS商业技术的10 Gb / s CMU,具有多标准功能

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摘要

A 10 Gb/s CMU has been fabricated in a commercial SiGe BiCMOS technology featuring multistandard compliance with SDH/SONET and 10 GbE specifications,dual reference clock frequency and output jitter below 80 mUIpp.The phase tracking loop uses a charge pump with low common mode current to minimize frequency ripple.Power supply is 2.5 and 3.3 V and the total power consumption is below 480 mW.
机译:采用商用SiGe BiCMOS技术制造了10 Gb / s CMU,具有符合SDH / SONET和10 GbE规范的多标准兼容性,双参考时钟频率和低于80 mUIpp的输出抖动。相位跟踪环路使用具有低共模的电荷泵电源电压为2.5 V和3.3 V,总功耗低于480 mW。

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