机译:用于未来THz应用的GaAs衬底上的20 nm T栅极复合通道增强模式变质HEMT
机译:f_(max)超过408 GHz的GaAs衬底上的增强模式L_g = 50 nm变质InAlAs / InGaAs HEMT
机译:GaS衬底上具有2 S / mm gm和490 GHz fT的增强模式变质HEMT
机译:使用新的三栅极技术在GaAs衬底上实现0.15 / spl mu / m准增强模式(E模式)In / sub 0.4 / GaAs / In / sub 0.4 / AlAs变质HEMT的高性能
机译:利用变质外延和杂化III-V异质结构在GaAs衬底上的多光谱光电探测器
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:GaAs衬底上增强模式变质Al0.67In0.33As / Ga0.66In0.34As HEMT的栅极电离电流