New GaInP/GaAs-HBT large-signal model for power applications

机译：适用于电源应用的新型GaInP / GaAs-HBT大信号模型

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A new GaInP/GaAs HBT model for power applications is presented. It is based on the Gummel-Poon model. Additionally, it accounts for the increase of the thermal resistance at high temperatures and the high collector-current base push-out effect. The model is validated for GaInP/GaAs HBTs.

机译：提出了一种新的用于电源应用的GaInP / GaAs HBT模型。它基于Gummel-Poon模型。另外，这也说明了高温下热阻的增加以及集电极电流基极的高推出效应。该模型已针对GaInP / GaAs HBT进行了验证。

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作者
Rudolph M.; Doerner R.; Heymann P.;
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年度 1998
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正文语种 it
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