首页> 外文OA文献 >An overview of low noise devices and associated circuits for 100-200 GHz space applications

【2h】

An overview of low noise devices and associated circuits for 100-200 GHz space applications

机译：适用于100-200 GHz空间应用的低噪声设备和相关电路的概述

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

This paper relates the state of the art of the HEMT low noise technologies for the space applications at millimeter wave and specially for the earth observation in the G-band (140 – 220 GHz)).The different III-V technologies (HEMT and LNA)and their associated performance are presented.Parameters limiting the improvement of high frequency characteristics for HEMTs with the downscaling process are studied.

机译：本文介绍了HEMT低噪声技术的最新水平，该技术适用于毫米波空间应用，尤其是G波段（140 – 220 GHz）中的地球观测。）不同的III-V技术（HEMT和LNA））及其相关性能。研究了随着缩减规模限制HEMT高频特性改善的参数。

著录项

作者
Dambrine G.; Parenty Thierry; Bollaert S.; Happy Henri; Cappy A.; Mateos Javier; Nahri Tapani; Orlhac Jean Claude; Trier Marc; Baudet Pierre; Landry Patrice;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2003
总页数
原文格式 PDF
正文语种 it
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. From model to low noise amplifier monolithic microwave integrated circuit: 0.03–2.6 GHz plastic quad-flat no-leads packaged Gallium-Nitride low noise amplifier monolithic microwave integrated circuit [J] . Osmanoglu Sinan, Ozbay Ekmel International journal of numerical modelling . 2021,第5期

机译：从模型到低噪声放大器单片微波集成电路：0.03-2.6 GHz塑料四扁平无铅包装镓 - 氮化物低噪声放大器单片微波集成电路
2. A JFET device for CMOS integrated circuits and its application to CMOS-based low noise amplifiers [J] . Hidekuni Takao, Rikiya Asaoka, Yoshiaki Ito, 電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices . 2002,第339期

机译：用于CMOS集成电路的JFET器件及其在基于CMOS的低噪声放大器中的应用
3. A JFET device for CMOS integrated circuits and its application to CMOS-based low noise amplifiers [J] . Hidekuni Takao, Rikiya Asaoka, Yoshiaki Ito, 電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices . 2002,第339期

机译：用于 CMOS A JFET 器件集成电路并将其应用到基于CMOS的低噪声放大器
4. An overview of low noise devices and associated circuits for 100-200 GHz space applications [C] . Gilles Dambrine, Thierry Parenty, Sylvain Bollaert, European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium; 20031006-20031007; Munich; DE . 2003

机译：适用于100-200 GHz空间应用的低噪声设备和相关电路的概述
5. Some design techniques for low power low noise CMOS amplifier with noise optimization for wireless application in GHz frequencies. [D] . Khan, M. Zamin. 2006

机译：低功耗低噪声CMOS放大器的一些设计技术，具有针对GHz频率无线应用的噪声优化。
6. Low-Noise Active Decoupling Circuit and its Application to 13C Cryogenic RF Coils at 3 T [O] . Juan Diego Sanchez-Heredia, Esben Søvsø Szocska Hansen, Christoffer Laustsen, 2017

机译：低噪声有源去耦电路及其在3 T时13C低温射频线圈中的应用
7. An overview of low noise devices and associated circuits for 100-200 GHz space applications [O] . Dambrine G., Parenty Thierry, Bollaert S., 2003

机译：适用于100-200 GHz空间应用的低噪声设备和相关电路的概述
8. Electrical Devices and Circuits for Low Temperature Space Applications [R] . Patterson, R. L., Hammoud, A., Dickman, J. E., 2004

机译：用于低温空间应用的电气设备和电路

An overview of low noise devices and associated circuits for 100-200 GHz space applications

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅