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Breakdown and high-field reliability issues in heterojunction FETs for microwave power amplification

机译:用于微波功率放大的异质结FET的击穿和高场可靠性问题

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摘要

High-field reliability issues connected with hot electron and impact ionization are typically the reliability bottleneck of power FETs for microwave and millimeter-wave applications. This work deals with some aspects of this problem, from characterization and accelerated stressing techniques to the physical degradation mechanisms, using power AlGaAs/GaAs HFETs as a test vehicle. ud
机译:与热电子和碰撞电离有关的高场可靠性问题通常是微波和毫米波应用中功率FET的可靠性瓶颈。这项工作使用功率AlGaAs / GaAs HFET作为测试工具,处理了该问题的某些方面,从特性和加速应力技术到物理退化机制。 ud

著录项

  • 作者

    Menozzi R.;

  • 作者单位
  • 年度 2000
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 it
  • 中图分类

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