机译:使用非晶硅作为牺牲材料的具有两个金属电极的SU-8 MEMS工艺的开发
机译:MEMS在无牺牲层面工艺中使用SU-8换能器的低成本制造
机译:带有SU-8电镀模的光刻胶牺牲层在MEMS制造中的应用
机译:旋转玻璃作为副本金属化的牺牲层,符合符合SU-8微观结构
机译:引入多孔硅作为牺牲材料,以在SOI晶片的衬底中获得空腔,以及用于MEMS器件的吸气材料
机译:用于释放金属化多层SU-8器件的牺牲层技术
机译:用于释放金属化多层SU-8器件的牺牲层技术
机译:UV焙烧/固化光刻胶用作mEms制造中的牺牲层