Представлены результаты структурного исследования методом дифракции отраженных электронов (ДОЭ) нанопористого кремния (PSi), сформированного на поверхности монокристаллического (с-Si) и аморфизованного (а-Si) кремния низкоэнергетической имплантацией ионами серебра. Имплантация проводилась с энергией 30 кэВ при дозе 1.5x1017 ион/см2 и плотности тока в ионном пучке 8 мкA/см2 при комнатной температуре облучаемой подложки Si. Аморфизация с-Si была осуществлена имплантацией ионами He+ с энергией 40 кэВ при той же дозе. Показано, что в результате ионной имплантации на с-Si и а-Si формируется тонкий аморфный слой PSi, в структуре которого присутствуют наночастицы серебра.
展开▼
机译：提出了通过低能银离子注入在单晶（c-Si）和非晶（a-Si）硅表面上形成的纳米多孔硅（PSi）的反射电子衍射（DOE）方法进行结构研究的结果。在被辐射的Si衬底的室温下，以30keV的能量以1.5×1017ion / cm 2的剂量和8μA/ cm 2的离子束中的电流密度进行注入。通过以相同剂量注入40 keV He +离子进行c-Si非晶化。结果表明，作为离子注入到c-Si和a-Si上的结果，形成了薄的非晶PSi层，在该结构中存在银纳米颗粒。
展开▼
