ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА ТЕНЗОТЕРМОЭДС И ТЕНЗОСОПРОТИВЛЕНИЕ ТРАНСМУТАЦИОННО ЛЕГИРОВАННЫХ И ОБЫЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

摘要

Представлены экспериментальные данные по измерению тензотермоэдс и тензосопротивления трансмутационнолегированных и обычных кристаллов n-Si, подвергнутых высокотемпературному отжигу при Т = 1200 оС в течение 2 и72 ч и охлаждавшихся от температуры отжига до комнатной со скоростями 1, 15, 1000 оС/мин. Показано, что анизотропия термоэдс увлечения в опытах с трансмутационно легированным кремнием при 85 K вследствие действия высокотемпературного отжига сильно возрастает.