首页> 外文OA文献 >Обоснование оптимальных условий химического осаждения меди из растворов для формирования токопроводящих покрытий в отверстиях полупроводника
【2h】

Обоснование оптимальных условий химического осаждения меди из растворов для формирования токопроводящих покрытий в отверстиях полупроводника

机译:从半导体孔中形成导电涂层的溶液中化学沉积铜的最佳条件的论证

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

В работе представлены данные о влиянии состава раствора химического осаждения меди и условий проведения процесса на размер зерен меди и плотность их упаковки. Осаждение осуществлялось на кремниевую подложку с предварительно нанесенными из растворов химического осаждения адгезионным слоем из сплава Ni-P и барьерным слоем из сплава Ni-W-P. Анализ полученных данных позволил определить оптимальные условия формирования токопроводящих медных покрытий в отверстиях кремниевой подложки.
机译:本文介绍了有关铜化学沉积溶液的组成和工艺条件对铜晶粒尺寸及其堆积密度的影响的数据。沉积是在预先由化学沉积溶液沉积的硅衬底上进行的,该衬底是用Ni-P合金的粘合层和Ni-W-P合金的阻挡层构成的。对获得的数据的分析使我们能够确定在硅衬底的孔中形成导电铜涂层的最佳条件。

著录项

  • 作者

    Степанова Л. И.;

  • 作者单位
  • 年度 2014
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 ru
  • 中图分类

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号