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【2h】

Optical Characterization Of GaN Thin Film Grown On Si(111) By Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy.udud

机译：射频等离子体辅助分子束外延对Si（111）上生长的GaN薄膜进行光学表征。 ud ud

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The wide band gap gallium nitride (GaN) based semiconductor system has great potential for applications in high-power, high-frequency, and hightemperature optoelectronic devices due to its superior properties, such as large breakdown field, high electron mobility, and thermal stability at elevated temperature.udud

机译：基于宽带隙氮化镓（GaN）的半导体系统具有卓越的性能，例如较大的击穿场，高电子迁移率和热稳定性，在高功率，高频和高温光电子器件中具有巨大的应用潜力。高温。 ud ud

著录项

作者
L S Chuah; Hassan Z.; Abu Hassan H;
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作者单位

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年度 2007
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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