机译:在4H SiC中,10〜(19)cm〜(-3)和10〜(20)cm〜(-3)离子植入的激活能量。
机译:一氧化氮后氧化退火改善4H-SiC肖特基势垒二极管的势垒高度均匀性
机译:使用经过后氧化后退火的氧化SiN栅氧化物制备的改进的4H-SiC金属氧化物半导体界面
机译:激活能量为4H SiC中10〜(19)cm〜(-3)和10〜(20)cm〜(-3)离子植入的植入退火。
机译:用于高温MEMS传感器的4H和6H碳化硅晶片的脉冲激光烧蚀和微加工。
机译:高温退火的纳米羟基磷灰石与成纤维细胞接触的细胞毒性评价
机译:一氧化氮后氧化退火对高温氧化4H SiC的影响。