机译:具有附加多晶硅体的块状氧化物源极/漏极固定多晶硅薄膜晶体管的实验研究
机译:多晶硅薄膜晶体管晶界陷阱密度的提取及器件仿真
机译:正面和背面氧化物界面具有陷阱态的多晶硅薄膜晶体管的器件仿真
机译:器件特性从薄膜晶体管的准静态电容电压特性开始-低温和高温多晶硅,非晶In-Ga-Zn-O,ZnO,聚合物-
机译:薄膜晶体管材料和器件的制造与表征
机译:使用H2烧结改善低温多晶硅薄膜晶体管传感器的pH敏感性
机译:前后氧化物界面具有陷阱状态的多晶硅薄膜晶体管的装置模拟
机译:薄膜多晶硅光伏器件的探索性发展。最终技术报告