机译:(GeTe)
机译:(GeTe)_l(Sb_2Te_3)_m界面相变存储材料的相干声子研究
机译:GeTe / Sb2Te3超晶格中用于相变存储的GeTe层的晶体结构
机译:通过电气测量和1R测试结构分析了解电荷注入GeTe / Sb2Te3相变存储器的开关机制
机译:用于可重构RF开关和非易失性存储器的相变材料的结晶动力学和阈值电压的研究。
机译:飞秒结构相变材料的飞秒结构转变远离相干声子监测的平衡状态
机译:相同的声子研究(GeTe)$ _ {l} $(sb $ _ {2} $ Te $ _ {3} $)$ _ {m} $ 界面相变记忆材料