机译:快速碳簇离子辐照下薄碳箔的正电子发射中的顺和二次电子产率的非可加性
机译:快速碳簇离子辐照下薄碳箔的正电子发射中的顺和二次电子产率的非可加性
机译:向前和向后相关的二次电子发射,取决于通过薄碳箔传输的质子的出现角度
机译:二次电子发射对穿透薄碳箔的冷冻带电H-0和H +弹丸出射角的依赖性
机译:来自快速离子撞击诱导的薄铜箔的双差分电子产生
机译:快速质子撞击后,需要模拟薄金属箔的二次电子发射光谱的相互作用截面。
机译:快速质子撞击后薄金属箔的二次电子产率模拟
机译:减少薄碳箔中每个原子的0.5MeV碳簇离子的能量损失