机译:使用原位掩模在狭窄区域内选择性生长高质量InAs量子点
机译:通过选择性地形成原位掩模生长的GaInAs覆盖层来控制狭窄区域中InAs量子点发射波长
机译:GaAs(100)衬底原位退火对分子束外延生长InAs量子点的影响
机译:在分子束外延生长期间,原位扫描隧穿显微镜观察INAS量子点演化
机译:使用聚焦离子束注入和分子束外延生长和再生长对量子结构进行原位处理。
机译:通过化学束外延法对InAs / GaAs量子点可调的发射波长进行光学相干层析成像
机译:通过分子束外延生长低密度Inas量子点