机译:P和硫属元素(S,Se或Te)共掺杂改性的Ge晶体的电学性质和NiGe / Ge结的有效肖特基势垒高度
机译:P和硫属元素(S,Se或Te)共掺杂改性的Ge晶体的电学性质和NiGe / Ge结的有效肖特基势垒高度
机译:硒隔离可有效降低NiGe / n-Ge接触中的肖特基势垒高度
机译:势垒高度大于半导体带隙的肖特基势垒的电流-电压特性:NiGe / n-(001)Ge接触的情况
机译:P和硫族元素(S,Se或Te)共引入NiGe / Ge结的肖特基势垒高度调制,用于金属源极/漏极Ge nMOSFET
机译:石墨烯/半导体肖特基结处的空间不均匀势垒高度。
机译:不同氧浓度环境下双极开关Gd:SiOx RRAM器件的肖特基发射距离和势垒高度特性
机译:加热对/ CdTe / Au X和γ射线检测器的电和光谱性能与肖特基势垒或激光诱导的P-N结的影响