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【2h】

ALD-grown seed layers for electrochemical copper deposition integrated with different diffusion barrier systems

机译：ALD生长的种子层，用于与不同扩散阻挡系统集成的电化学铜沉积

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Waechtler, Thomas; Ding, Shao-Feng; Hofmann, Lutz; Mothes, Robert; Xie, Qi; Oswald, Steffen; Detavernier, Christophe; Schulz, Stefan E.; Qu, Xin-Ping; Lang, Heinrich; Gessner, Thomas;
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年度 2011
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1. ALD-grown seed layers for electrochemical copper deposition integrated with different diffusion barrier systems [J] . Thomas Waechtler, Shao-Feng Ding, Lutz Hofmann, Microelectronic Engineering . 2011,第5期

机译：ALD生长的种子层，用于与不同扩散阻挡系统集成的电化学铜沉积
2. Electroless Nickel Alloy Deposition on SiO_2 for Application as a Diffusion Barrier and Seed Layer in 3D Copper Interconnect Technology [J] . Tae-Yoo Kim, Hwa-Jin Son, Seung-Kyu Lim, Journal of nanoscience and nanotechnology . 2014,第12期

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3. Selective Copper Deposition on Barrier Layer Ta and TaN in the Presence of a Copper Seed Layer [J] . Chong-yang Liu, Allen J. Bard Electrochemical and solid-state letters . 2003,第3期

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4. Metal Seed Activation of TiSiN Diffusion Barrier Layers for Electrochemical Copper Deposition [C] . Jinghua Sun, Benedict Johnson, Thomas J. OKeefe, Advanced Metallization Conference . 2004

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5. Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of Ruthenium-Titanium Nitride Mixed-Phase Layers for Direct-Plate Liner and Copper Diffusion Barrier Applications. [D] . Gildea, Adam James. 2013

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6. Electrochemical deposition of layered copper thin films based on the diffusion limited aggregation [O] . Chenhuinan Wei, Guoxing Wu, Sanjun Yang, -1

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7. ALD-grown seed layers for electrochemical copper deposition integrated with different diffusion barrier systems [O] . Waechtler, Thomas, Ding, Shao-Feng, Hofmann, Lutz, 2011

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8. Thin-Layer Electrochemical Studies of the Oxidative Underpotential Deposition ofSulfur and its Application to the Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Deposition of CdS. 2. STM Studies. (Reannouncement with New Availability Information) [R] . Colletti, L. P., Teklay, D., Stickney, J. L. 1994

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