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Growth of homogeneous InGaSb ternary alloy semiconductors on InSb seed

机译：InSb种子上均质InGaSb三元合金半导体的生长

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Hayakawa, Yasuhiro; Murakami, Noriaki; Hikida, Takuya; Konno, Akiko; Arafune, Koji; Koyama, Tadanobu; Miyazawa, Masafumi; Kumagawa, Masashi;
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年度 2008
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正文语种 eng
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1. Growth of homogeneous InGaSb ternary alloy semiconductors on InSb seed [J] . Noriaki Murakami, Takuya Hikida, Akiko Konno, Journal of Crystal Growth . 2008,第7a9期

机译：InSb种子上均质InGaSb三元合金半导体的生长
2. Crystal growth of bulk ternary semiconductors: Comparison of GaInSb growth by horizontal Bridgman and horizontal traveling heater method [J] . Brent C. Houchens, Piotr Becla, Stephanie E. Tritchler, Journal of Crystal Growth . 2010,第8期

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3. Growth of Homogeneous InGaSb Ternary Bulk Crystal and the Observation of Composition Profile in the Solution by X-Ray Penetration Method [J] . Govindasamy RAJESH, Hisashi MORII, Toru AOKI, 電子情報通信学会技術研究報告 . 2009,第23期

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4. Nanocomposites for thermoelectric power generation: rare-earth metal monoantimonide nanostructures embedded in InGaSb and InSbAs ternary alloys [C] . Kate J. Norris, Takehiro Onishi, Andrew J. Lohn, Nanoepitaxy: Materials and devices III . 2011

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