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【2h】

III-N LEDs with graphene double-sided InGaN/GaN multiple quantum well structures

机译：具有石墨烯双面InGaN / GaN多量子阱结构的III-N LED

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Department Of Materials Science Engineering

机译：材料科学工程系

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Bae Goh-Myeong;
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年度 2015
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