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An interface-proximity model for switchable interfacial uncompensated antiferromagnetic spins and their role in exchange bias

机译:可切换界面无补偿反铁磁自旋的界面邻近模型及其在交换偏置中的作用

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摘要

We propose an interface-proximity model that allows us to solve a longstanding puzzle regarding large discrepancies between the experimentally observed and theoretically estimated values of exchange-bias field Heb in coupled ferromagneticantiferromagnetic (FAF) metallic films. In this proposed model, switchable uncompensated (UC) AF spins in contact with an F layer are taken into account as an additionally inserting layer that is chemically or magnetically distinguishable from each of the nominal AF and F layers. Reductions in Heb, enhancements in coercivity, and other exchange-bias behaviors typically observed in experiments are very well reproduced from this model. The switchable interfacial UC region with a sizable thickness, heretofore ignored, plays a crucial role in the exchange bias phenomenon.
机译:我们提出了一种界面邻近模型,该模型使我们能够解决关于耦合铁磁反铁磁(FAF)金属膜中实验观察到的交换偏置场Heb的理论估计值与理论估计值之间存在较大差异的长期难题。在此提出的模型中,将与F层接触的可切换的未补偿(UC)AF自旋考虑为额外的插入层,该插入层在化学或磁性上与标称的AF和F层不同。从Heb的减少,矫顽力的增强以及在实验中通常观察到的其他交换偏见行为都可以很好地从该模型中复制出来。迄今为止被忽略的具有可观厚度的可切换界面UC区域在交换偏压现象中起关键作用。

著录项

  • 作者

    Lee Ki-Suk; Yu YS; Kim SK;

  • 作者单位
  • 年度 2014
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 ENG
  • 中图分类

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