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The optimization of the ohmic contacts vacuum deposition technologyat gallium arsenide

机译：砷化镓欧姆接触真空沉积技术的优化

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Дмитрієв В.С.; Dmitriev V.S.;
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年度 2013
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1. Ohmic contact formation process on low n-type gallium arsenide (GaAs) using indium gallium zinc oxide (IGZO) [J] . Seong-Uk Yang, Woo-Shik Jung, In-Yeal Lee, Materials Research Bulletin . 2014,第feba期

机译：使用铟镓锌氧化物（IGZO）在低n型砷化镓（GaAs）上形成欧姆接触的过程
2. Investigation of Alloyed Ohmic Contacts in Epitaxial Tellurium-Doped Gallium Arsenide Layers [J] . V. I. Egorkin, V. E. Zemlyakov, A. V. Nezhentsev, Russian Microelectronics . 2018,第6期

机译：外延碲掺杂砷化镓层中合金欧姆接触的研究
3. The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2-300 K range [J] . Sachenko A. V., Belyaev A. E., Boltovets N. S., Technical physics letters: Letters to the Russian journal of applied physics . 2016,第6期

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4. Gallium nitride nanowires: Polar surface controlled growth, ohmic contact patterning by focused ion beam induced direct Pt deposition and disorder effects; variable range hopping, and resonant electromechanical properties [C] . Chang-Yong Nam, Douglas Tham, Papot Jaroenapibal, Nanomaterial Synthesis and Integration for Sensors, Electronics, Photonics, and Electro-Optics; Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering; vol.6370 . 2006

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机译：铟过渡金属与n型砷化镓的欧姆接触的热力学研究，以及季镓-铟-（过渡或贵金属）-砷体系的热化学行为概述。
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机译：在p-GaN上两步沉积Al掺杂的ZnO以形成欧姆接触
7. Q-switched ruby laser alloying of Ohmic contacts on gallium arsenide epilayers [O] . Margalit Shlomo, Fekete Dan, Pepper David M., 1978

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