Керамическим методом получены образцы кобальтитов-галлатов самария SmCo1-xGaxO3. Определены параметры их кристаллической решетки. В интервале температур 300–1050 К на воздухе исследованы температурные зависимости электропроводности и термо-ЭДС. Установлено, что в твердых растворах SmCo1-xGaxO3 увеличение степени замещения ионов Co3+ ионами Ga 3+ приводит к значительному уменьшению удельной электропроводности: от 27 См/см для SmCoO3 до 0,16 См/см для твердого раствора с х = 0,5 (при Т = 850 К). Температурные зависимости коэффициента термо-ЭДС показывают, что все образцы SmCo1-xGaxO3 являются полупроводниками p-типа. Установлено, что образец SmCo0,5Ga0,5O3 имеет высокое значение коэффициента термо-ЭДС (3000 мкВ/К) при температуре 650 К.
展开▼
机译：陶瓷法用于获得钴酸镓gal SmCo1-xGaxO3的样品。确定其晶格的参数。在空气中300–1050 K的温度范围内，研究了电导率和热电动势的温度依赖性。已发现在SmCo1-xGaxO3固溶体中，Co 3+离子被Ga 3+离子取代的程度增加会导致电导率显着降低：从SmCoO3的27 S / cm降低到x = 0.5的固溶体的0.16 S / cm T = 850 K）。 ThermoEMF系数的温度依赖性表明，所有SmCo1-xGaxO3样品均为p型半导体。已确定SmCo0.5Ga0.5O3样品在650 K的温度下具有较高的热电动势（3000μV/ K）。
展开▼
