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【2h】

Study of sub-0.1-μm gate InP-based high electron mobility transistors

机译：小于0.1μm栅极InP的高电子迁移率晶体管的研究

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制度:新 ; 文部省報告番号:乙1557号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2000-10-19 ; 早大学位記番号:新3036 ; 理工学図書館請求番号:2512

机译：系统：新增；教育部报告编号：大津1557；学位类型：博士（工程学）；授予日期：2000-10-19；早稻田大学注册处编号：New 3036；科学技术图书馆申请编号：2512

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作者
末光哲也;
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作者单位

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年度 2016
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