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Development of RF high-power diamond MOSFETs with high-density hole channel

机译：具有高密度空穴通道的RF大功率金刚石MOSFET的开发

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制度:新 ; 文部省報告番号:甲2626号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2008/3/15 ; 早大学位記番号:新4785

机译：系统：新；教育部报告编号：A2626；学位类型：博士（工程学）；授予日期：2008/3/15；早稻田大学编号：新4785

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平間一行;
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年度 2008
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