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【2h】

Atomistic Simulation on Low-k/Ultra Low-k Materials

机译：低k /超低k材料的原子模拟

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DAI LING;
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年度 2008
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1. Ab initio simulations of low-k and ultra low-k dielectric interconnects [J] . V.B.C. Tan, L Dai, S.W. Yang, Diffusion and Defect Data. Solid State Data, Part B. Solid State Phenomena . 2007,第2期

机译：低k和超低k介电互连的从头算模拟
2. Extraction of elastic modulus of porous ultra-thin low-k films by two-dimensional finite-element simulations of nanoindentation [J] . O. O. Okudur, K. Vanstreels, I. De Wolf, Journal of Applied Physics . 2016,第2期

机译：纳米压痕的二维有限元模拟提取多孔超薄低k薄膜的弹性模量
3. Dielectric constant of porous ultra low-k dielectrics by fractal-Monte Carlo simulations [J] . Xu Q, Yu BM, Cai JC Physics Letters, A . 2009,第22期

机译：分形蒙特卡洛模拟法研究多孔超低k电介质的介电常数
4. Ab initio simulations of low-k and ultra low-k dielectric interconnects [C] . V.B.C. Tan, L. Dai, S.W. Yang, China International Conference on Nanoscience and Technology . 2007

机译：低k和超低k电介质互连的AB Initio模拟
5. The effect of ultra-violet light curing on the molecular structure and fracture properties of an ultra low-k material [D] . Smith, Ryan Scott 2007

机译：紫外光固化对超低k材料的分子结构和断裂性能的影响
6. Material design of plasma-enhanced chemical vapour deposition SiCH films for low-k cap layers in the further scaling of ultra-large-scale integrated devices-Cu interconnects [O] . Hideharu Shimizu, Shuji Nagano, Akira Uedono, 2013

机译：用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
7. Ab initio simulations of low-k and ultra low-k dielectric interconnects [O] . V. B. C. Tan, L. Dai, S. W. Yang, 2015

机译：从头开始模拟低k和超低k电介质互连
8. Economic Analysis of NIST's Low-k Materials Characterization Research. Planning Report 08-2. Final Report [R] . Rowe, B. R., Gallaher, M. P., Temple, D. S., 2008

机译：NIsT低k材料特性研究的经济学分析。规划报告08-2。总结报告

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