机译:原子层沉积氮化硅/ SiO_2叠层-用于先进CMOS技术的高电势栅极电介质
机译:深亚微米T型栅和原子层外延MgCaO作为栅介质的AlGaN / GaN / SiC MOSHEMT的DC和RF性能
机译:用于先进CMOS器件的GaAs上沉积的原子层高k栅极电介质的电学和界面表征
机译:具有深亚微米T型栅极和原子层外延MgCaO作为栅极电介质的AlGaN / GaN MOSHEMT的DC和RF表征
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:原子层沉积的Al2O3和ZnO壳层改善了ZnO纳米棒阵列的近带边缘和深层发射的特性
机译:用于高风扇门的超深亚微米CmOs技术中的电路设计的漏电容,噪声免疫多米诺逻辑