首页> 外文OA文献 >Study on advanced gate stack using high-k dielectric and metal electrode

【2h】

Study on advanced gate stack using high-k dielectric and metal electrode

机译：使用高k介电层和金属电极的先进栅堆叠的研究

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
HWANG WAN SIK;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2008
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Metal Electrode/High-k Dielectric Gate-Stack Technology for Power Management [J] . Byoung Hun Lee, Seung Chul Song, Rino Choi, IEEE Transactions on Electron Devices . 2008,第1期

机译：用于电源管理的金属电极/高k介电栅堆叠技术
2. Fabrication of advanced La-incorporated Hf-silicate gate dielectrics using physical-vapor-deposition-based in situ method and its effective work function modulation of metal/high-k stacks [J] . Journal of Applied Physics . 2010,第3期

机译：基于物理气相沉积的原位法制备掺La的Hf-硅酸盐栅电介质及其对金属/高k层的有效功函数的调制
3. Fabrication of advanced La-incorporated Hf-silicate gate dielectrics using physical-vapor-deposition-based in situ method and its effective work function modulation of metal/high-k stacks [J] . Hiroaki Arimura, Yudai Oku, Masayuki Saeki, Journal of Applied Physics . 2010,第3期

机译：基于物理气相沉积的原位法制备掺La的Hf-硅酸盐栅电介质及其对金属/高k层的有效功函数的调制
4. ELECTRICAL CHARATERIZATION METHODOLOGIES FOR ADVANCED GATE STACKS WITH METAL GATE AND HIGH-K DIELECTRICS [C] . B.H. Lee, G. Bersuker, N. Moumen, International Conference on Semiconductor Technology . 2005

机译：具有金属栅极和高k电介质的高级闸门堆栈的电作用型方法
5. Technology development and study of rapid thermal CVD high-k gate dielectrics and CVD metal gate electrode for future ULSI MOSFET device integration: Zirconium oxide, and hafnium oxide. [D] . Lee, Choong-Ho. 2003

机译：快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究，用于未来的ULSI MOSFET器件集成：氧化锆和氧化ha。
6. High-performance III-V MOSFET with nano-stacked high-k gate dielectric and 3D fin-shaped structure [O] . Szu-Hung Chen, Wen-Shiang Liao, Hsin-Chia Yang, 2012

机译：具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
7. Hf-based high-K gate dielectric and metal gate stack for advanced CMOS devices [O] . JOO MOON SIG 2006

机译：基于Hf的高K栅极电介质和金属栅极叠层，用于高级CMOS器件

Study on advanced gate stack using high-k dielectric and metal electrode

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅