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【2h】

Investigation on performance and reliability improvements of GaN-based heterostructure field effect transistors

机译：GaN基异质结场效应晶体管的性能和可靠性改进研究

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TIAN FENG;
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年度 2010
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机译：GaN基异质结构场效应晶体管的低频噪声研究
2. Charge balancing in GaN-based 2-D electron gas devices employing an additional 2-D hole gas and its influence on dynamic behaviour of GaN-based heterostructure field effect transistors [J] . Herwig Hahn, Benjamin Reuters, Sascha Geipel, Journal of Applied Physics . 2015,第10期

机译：使用额外的2-D空穴气体的GaN基2-D电子气器件中的电荷平衡及其对GaN基异质结构场效应晶体管动态行为的影响
3. Investigation of Novel Si/SiGe Heterostructures and Gate Induced Source Tunneling for Improvement of p-Channel Tunnel Field-Effect Transistors [J] . Hasanali G. Virani, Rama Bhadra Rao, Anil Kottantharayil Japanese journal of applied physics . 2010,第4issue2期

机译：新型Si / SiGe异质结构和栅极诱导源极隧穿的研究，以改善p沟道隧道场效应晶体管
4. Hot-Phonon Effect on the Reliability of GaN-Based Heterostructure Field-Effect Transistors [C] . Cemil Kayis, Hadis Morkoc International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology . 2015

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