Novel modelling methods for microwave GaAs MESFET device

机译：微波GaAs MESFET器件的新型建模方法

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ZHONG ZHENG;
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年度 2010
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3. High-temperature microwave characteristics of GaAs MESFET devices with AlAs buffer layers [J] . Ito C., Jenkins T. IEEE Electron Device Letters . 1996,第1期

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机译：集成CAD环境中GaAs MESFET的物理建模：从器件技术到微波电路性能
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