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【2h】

Advanced Transistors for Supply Voltage Reduction: Tunneling Field-Effect Transistors and High-Mobility MOSFETS

机译：用于降低电源电压的先进晶体管：隧穿场效应晶体管和高迁移率MOSFET

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GUO PENGFEI;
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年度 2013
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机译：基于0.18μm垂直金属氧化物半导体场效应晶体管的高频升压转换器，其过冲电压比电源电压低70％
2. Low-Voltage, High-Mobility Air-Stable Ambipolar Organic Field-Effect Transistors with a Voltage-Dependent Off-Current State and Modest Operational Stability [J] . Yongsheng Hu, Qipeng Lu, Hong Li, _Applied Physics Express . 2013,第5期

机译：低压，高迁移率的空气稳定双极性有机场效应晶体管，具有电压相关的截止电流状态和适度的工作稳定性
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4. Straddle-gate transistor: changing MOSFET channel length between off- and on-state towards achieving tunneling-defined limit of field-effect [C] . Tiwari, S., Welser, Electron Devices Meeting, 1998. IEDM '98 Technical Digest., International . 1998

机译：跨栅晶体管：在截止状态和导通状态之间改变MOSFET的沟道长度，以达到隧穿定义的场效应极限
5. Theoretical study of advanced fieldeffect transistors based on alternative channel materials for supply voltage reduction. [D] . Lu, Low Kain. 2015

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6. Effective dose assessment in the maxillofacial region using thermoluminescent (TLD) and metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) dosemeters: a comparative study [O] . J Koivisto, D Schulze, J Wolff, 2014

机译：使用热致发光（TLD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）剂量计对颌面区域进行有效剂量评估：一项比较研究
7. THEORETICAL STUDY OF ADVANCED FIELD-EFFECT TRANSISTORS BASED ON ALTERNATIVE CHANNEL MATERIALS FOR SUPPLY VOLTAGE REDUCTION [O] . LOW KAIN LU 2015

机译：基于交替通道材料的先进场效应晶体管降压的理论研究
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